Memorias flash NAND en 20 nanometros de Intel y Micron y en 19 nanometros por Toshiba y Sandisk.

Intel y Micron presentan su proceso de fabricación de 20nm para módulos de memoria flash NAND que permite producir chip de hasta 8GB. Con un ahorro de entre un 30% y 40% de espacio frente a los actuales módulos NAND de 8GB fabricados en 25nm. El nuevo proceso en 20nm mantiene niveles de rendimiento y durabilidad similares a los que ofrecía la tecnología NAND en 25 nanómetros.

Toshiba presenta a su vez las memorias NAND Flash fabricadas en 19 nanómetros. Los nuevos chip alcanzarian los 8GB por unidad, siendo el chip de mayor capacidad de almacenamiento. Ahora se podria apilar hasta 16 chips en una sola base, de modo que sería posible fabricar modulos de memoria de hasta 128GB, doblando el anterior record de Samsung de 64GB fabricado en 30nm.

Estas nuevas memorias NAND además de duplicar la capacidad de los chips, Toshiba ha logrado que sean todavía más rápidas usando tecnología Toggle DDR 2.0, que provee una interfaz de transferencia más rápida usando un diseño asíncrono, de un modo similar al que lo hace la RAM DDR. Esta tecnología ha sido desarrollada por investigadores de Toshiba y Samsung y ha sido utilizada con anterioridad en el desarrollo de chips Flash más veloces.

Este avance representa una mejora sensible del almacenamiento para dispositivos moviles, como Smartpones, Tablets,pendrives, SSD, etc...